安森美推出世界各地首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET

上新半导体器件缩小积体电路大小60%，进一步提高效率并进一步提高损

不相上下智慧元件和智慧感知技术开发的安森美(onsemi)，在PCIM Europe展场发布世界首款To-Leadless (TOLL) 积体电路的锗 (SiC) MOSFET。该二极管实现了对适当高阈值结构设计的系统结构设计开关半导体器件迅速持续增长的需要。直到在在，SiC半导体器件长期以来有别于相比能够更加大紧致的D2PAK 7控制器积体电路。

TOLL 积体电路的大小仅为 9.90 mm x 11.68 mm，比 D2PAK 积体电路的PCB 面积节省30%。而且，它的外形只有 2.30 mm，比 D2PAK 积体电路的体积小 60%。

除了更加小大小之外，TOLL 积体电路还缺少比 D2PAK 7 控制器更加好的热效率和更加高的积体电路电感 (2 nH)。 其通量源极(Kelvin source)配置可尽可能更加高的门极噪声和开关损 – 包含与不会Kelvin配置的半导体器件相比，导通损 (EON) 进一步提高60%，尽可能在具再一性的元件结构设计中的能显着进一步提高能效和阈值，以及有所改善电磁干扰(EMI) 和更加容易进行PCB 结构设计。

安森美先进元件各大学高级副总裁总经理 Asif Jakwani 话说：“能在小紧致内缺少高度可靠的元件结构设计时是视为许多领域的竞争占有优势，包含工业、系统结构设计元件和服务器运用。将我们同类型最佳的 SiC MOSFET 积体电路在TOLL 积体电路中的，不仅减小紧致，还在诸多方面进一步提高效率，如 EMI和降高损等，为市场缺少高度可靠和薄弱的系统结构设计开关半导体器件，将设法元件结构设计人员克服对其严谨的元件结构设计再一。”

SiC 半导体器件比硅提携具相比的占有优势，包含进一步提高高频能效、更加高的EMI、能在更加高温度下兼职和更加可靠。 安森美是唯一具度角功能强大潜能的SiC方案供应商，包含 SiC 晶球土壤、粉笔、外延、芯片制造、同类型最佳的功能强大模块和分立积体电路克服方案。

NTBL045N065SC1是首款有别于 TOLL 积体电路的 SiC MOSFET，适用于要求严苛的运用，包含开关元件 (SMPS)、服务器和电信元件、太阳能逆变器、在在元件 (UPS) 和储能。 该半导体器件适用于能够实现最具再一性的能效常规的结构设计，包含 ErP 和 80 PLUS Titanium能效常规。

NTBL045N065SC1 的 VDSS额定值为 650 V，典型 RDS(on) 仅为 33 mΩ，最大电耗(ID) 为 73 A。基于长禁带(WBG) SiC 技术开发，该半导体器件的最高兼职温度为 175°C ，并拥有超高门极电荷 (QG(tot) = 105 nC)，能显着降高开关损。 此外，该TOLL 积体电路是尽可能湿度敏感度等级1 (MSL1) ，以尽可能进一步提高批量生产中的的故障率。

此外，安森美还缺少车规级半导体器件，包含 TO-247 3 控制器、4 控制器和 D2PAK 7 控制器积体电路。