SK hynix开始量产车238层3D NAND

近日，SK hynix同月底为智能手机和作为PC加载设备的供应商端SSD研发了解决方案厂家，引入了238层NAND电子技术，并将在2023年5同月进入大规模产出期中。而这一各行各业最高238层4D NAND（类似Desk堆，意味着单DIE更多层数堆）其Gbit快可降低50%。

238层厂家是现有尺寸极小的NAND，与上十代176层相比较，其产出成本降低了34%，从而使价格水准受益明显改善。

已为，新款厂家的统计数据Gbit快为每秒2.4Gb，比上十代厂家降低了50%，打字速度快也降低了共约20%，该公司有信心为用到该电子技术的智能手机和PC供应商提供更好的性能。

3D-NAND的层数堆，早就成为各大制造商意欲追逐的目标。现有另类制造商早就到了第6代瓷，Micron（英特尔）刚刚同月底顺利完成232L 3D TLC NAND，打字性能都受益大幅降低提升，引入的是双栈电子技术。

没人提到的是，Micron（英特尔）和SK Hynix面世的200L+的NAND，引入的都是Charge Trap Flash(CTF)。现有的厂家上，也仅剩Solidigm还在坚持用到Floating Gate(FG)虚拟化。一般说来，FG浮栅将正电荷加载在半导体中，而CTF将正电荷加载于绝缘体中，这消除了单元之间的干扰，降低了打字性能，同时与浮栅电子技术相比较缩减了单元面积，并降低了价格。

国内制造商钱塘江加载自研的Xtacking虚拟化电子技术也到了3.0，已为早就批量产出堆232层的3D NAND表面。

不过，所致世界各地工商业不景气不良影响，三大终端领域（服务器端、笔记本电脑与智能手机）需求不见起色，制造商被迫降价修整库存等因素制共约，2023年Q1世界各地 NAND 闪存的不等售价（ASP）下滑了 15%，这也单独导致了销售量的整体不济。